1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 04. Материалы конференций
  3. Информационные технологии и нанотехнологии
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПродан Д. В.
dc.coverage.spatialдробная производная
dc.coverage.spatialвольт-амперная характеристика
dc.coverage.spatialсуперстатистика
dc.coverage.spatialмемристоры
dc.creatorПродан Д. В.
dc.date2023
dc.date.accessioned2025-08-22T12:18:52Z-
dc.date.available2025-08-22T12:18:52Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\541714
dc.identifier.citationПродан, Д. В. Математическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородности / Д. В. Продан // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 5: Науки о данных / под ред. Е. В. Гошина. - 2023. - С. 051012.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/13182-
dc.description.abstractРассмотрена модель вольт-амперной характеристики мемристора, где неоднородности в устройстве учитываются в рамках суперстатистики, а динамика его внутреннего состояния описывается дифференциальным уравнением с дробной производной. Показано, что предложенная модель дает хорошее согласие с результатами экспериментальных измерений вольт-амперной характеристики реального мемристора.
dc.languagerus
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). - Т. 5 : Науки о данных
dc.subjectдробная производная
dc.subjectвольт-амперная характеристика
dc.subjectсуперстатистика
dc.subjectмемристоры
dc.titleМатематическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородности
dc.typeText
dc.citation.spage051012
dc.citation.volume5
local.contributor.authorПродан Д. В.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Matematicheskoe-modelirovanie-voltampernoi-harakteristiki-memristora-s-uchetom-ego-neodnorodnosti-106022
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Matematicheskoe-modelirovanie-voltampernoi-harakteristiki-memristora-s-uchetom-ego-neodnorodnosti-106022
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-1921-6_2023-051012.pdf239.25 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.