Samara University Repository
Welcome!
| Title: | Датчик деформации на основе гетероструктуры SiС/Si |
| Authors: | Каяшева Л. А. Чепурнов В. И. |
| Keywords: | карбид кремния гетероструктура SiC/Si датчики деформации полупроводниковые гетероструктуры тензопреобразователи |
| Issue Date: | 2017 |
| Citation: | Каяшева, Л. А. Датчик деформации на основе гетероструктуры SiС/Si : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / Каяшева Любовь Андреевна ; рук. работы В. И. Чепурнов, допустил к защите В. В. Зайцев ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т,. - Самара, 2017. - on-line |
| Abstract: | Выпускная квалификационная работа включает в себя: 55 страницы, 27 иллюстраций, 4 таблиц, 42 использованных источников и одна страница приложения. Объектом исследования данной работы является чувствительный элемент датчика деформации. Предметом данной работы является полупроводниковая гетероструктура SiC/Si с уникальными электрофизическими свойствами. Цель работы - исследование возможности использования гетероструктуры SiC/Si в качестве чувствительного элемента тензопреобразователя. Результат - показано, что для пленкт SiC на Si - подложке нельзя использовать вплавные контакты. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/49926 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Каяшева_Любовь_Андреевна_Датчик_деформации_основе.pdf | 2.11 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.