Отрывок: Науки о данных 051012 Reject Method) [7] где в экспоненциальной функции в числителе используется разность между старым и новым значением ошибки, а в знаменателе - условная переменная, которая умножается на коэффициент в интервале (0,1) на каждом шаге итерации. По завершении внутреннего цикла полученные итоговые вектор параметров и ошибка заносятся в массив параметров и ошибок и внешний цикл начинается заново. Для решения метода наименьших квадратов в каждой итерац...
Название : Математическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородности
Авторы/Редакторы : Продан Д. В.
Дата публикации : 2023
Библиографическое описание : Продан, Д. В. Математическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородности / Д. В. Продан // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 5: Науки о данных / под ред. Е. В. Гошина. - 2023. - С. 051012.
Аннотация : Рассмотрена модель вольт-амперной характеристики мемристора, где неоднородности в устройстве учитываются в рамках суперстатистики, а динамика его внутреннего состояния описывается дифференциальным уравнением с дробной производной. Показано, что предложенная модель дает хорошее согласие с результатами экспериментальных измерений вольт-амперной характеристики реального мемристора.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Matematicheskoe-modelirovanie-voltampernoi-harakteristiki-memristora-s-uchetom-ego-neodnorodnosti-106022
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\541714
Ключевые слова: дробная производная
вольт-амперная характеристика
суперстатистика
мемристоры
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1921-6_2023-051012.pdf239.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.