Отрывок: Науки о данных 051012 Reject Method) [7] где в экспоненциальной функции в числителе используется разность между старым и новым значением ошибки, а в знаменателе - условная переменная, которая умножается на коэффициент в интервале (0,1) на каждом шаге итерации. По завершении внутреннего цикла полученные итоговые вектор параметров и ошибка заносятся в массив параметров и ошибок и внешний цикл начинается заново. Для решения метода наименьших квадратов в каждой итерац...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПродан Д. В.ru
dc.coverage.spatialдробная производнаяru
dc.coverage.spatialвольт-амперная характеристикаru
dc.coverage.spatialсуперстатистикаru
dc.coverage.spatialмемристорыru
dc.creatorПродан Д. В.ru
dc.date.accessioned2023-10-06 09:21:40-
dc.date.available2023-10-06 09:21:40-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\541714ru
dc.identifier.citationПродан, Д. В. Математическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородности / Д. В. Продан // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 5: Науки о данных / под ред. Е. В. Гошина. - 2023. - С. 051012.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Matematicheskoe-modelirovanie-voltampernoi-harakteristiki-memristora-s-uchetom-ego-neodnorodnosti-106022-
dc.description.abstractРассмотрена модель вольт-амперной характеристики мемристора, где неоднородности в устройстве учитываются в рамках суперстатистики, а динамика его внутреннего состояния описывается дифференциальным уравнением с дробной производной. Показано, что предложенная модель дает хорошее согласие с результатами экспериментальных измерений вольт-амперной характеристики реального мемристора.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). - Т. 5 : Науки о данныхru
dc.titleМатематическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородностиru
dc.typeTextru
dc.citation.spage051012ru
dc.citation.volume5ru
dc.textpartНауки о данных 051012 Reject Method) [7] где в экспоненциальной функции в числителе используется разность между старым и новым значением ошибки, а в знаменателе - условная переменная, которая умножается на коэффициент в интервале (0,1) на каждом шаге итерации. По завершении внутреннего цикла полученные итоговые вектор параметров и ошибка заносятся в массив параметров и ошибок и внешний цикл начинается заново. Для решения метода наименьших квадратов в каждой итерац...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1921-6_2023-051012.pdf239.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.