Изготовление и исследование бета-вольтаического энергопреобразователя на основе полупроводниковой структуры n-SiC(C-14)/n-Si

Abstract

Объектом исследования является гетероструктура SiC/Si, легированная радиоуглеродом. Цель работы – анализ факторов, влияющих на эффективность энергопреобразователей планарного и вертикального исполнения диодной структуры SiC/Si, легированной углеродом-14. В процессе работы исследовалась научно-техническая литература, созданы образцы гетероструктур SiC, легированного радиоуглеродом, на подложках кремния, построены вольт-амперные характеристики и зависимости тока при сканировании зонда по Si-фазе на косом шлифе, определены температурные зависимости некоторых параметров. В результате работы определено, что для увеличения эффективности энергопреобразователя необходимо использовать подложки кремния с меньшим удельным сопротивлением. Эффективность работы заключается в экспериментальном обосновании влияния удельного базового сопротивления на эффективность сбора заряда с гетероструктуры SiC/Si.