Многофункциональные диэлектрические покрытия на основе соединений РЗЭ

Abstract

Исследования, проводимые в области микроэлектроники, в настоящее время сосредоточены на разработке новых материалов и структур, которые позволят повысить производительность полупроводниковых приборов и улучшить их энергоэффективность. Главной движущей силой этого процесса является миниатюризация элементов интегральных схем: уменьшение длины затворного канала в МДП-транзисторах при сохранении необходимой емкости затвора требует пропорционального уменьшения толщины подзатворного диэлектрика. Однако при толщинах классического диэлектрика — термического оксида кремния SiO₂ — менее 1,5 нм токи туннельной утечки через затвор становятся недопустимо большими, что ограничивает дальнейшее масштабирование приборов на основе традиционных материалов. [1, 2]