Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах карбид кремния на кремнии на частоте 10 ГГц

Abstract

Объектом исследования является радиоэлектрический эффект в карбиде кремния, получаемом методом эндотаксии, возникающий под действием импульсной СВЧ мощности. Предметом исследования являются образцы преобразователей уровня СВЧ мощности в ЭДС радиоэлектрического эффекта на основе структур карбида кремния. Цель данной работы: исследование гальваномагнитных эффектов (радиоэлектрический эффект), возникающих в гетероструктурах карбид кремния на кремнии под воздействием электромагнитного излучения сверхвысоких частот. В результате работы было показано, что термоэлектрическая составляющая радиoэлектрического эффекта пренебрежимо мала по сравнению с ЭДС Холла при больших скважностях импульсов СВЧ мощности. В таких условиях радиoэлектрический эффект может использоваться как для измерения импульсной СВЧ мощности, так и для определения электрофизических характеристик полупроводниковых материалов на сверхвысоких частотах.