Генерация зарядовых центров в МДП-структурах на основе соединений РЗЭ на полупроводниковых подложках

Abstract

Металл – диэлектрик – проводник (МДП) структуры в современном мире являются неотъемлемой частью большинства интегральных схем и полупроводниковых приборов. Они лежат в основе таких технологичных приборов как различные транзисторы, элементы памяти, процессоров и переключателей. Также МДП - структуры можно использовать как чувствительные элементы различных датчиков, измеряющих физические величины. Изучение полевой и химической пассивации имеет несомненный интерес для применения в микроэлектронике и оптоэлектронике. Фториды германия имеют высокую диэлектрическую проницаемость и хорошее качество границы раздела с кремнием и германием.Целью работы является изучение генерации носителей зарядов и электрофизических характеристик МДП – структур Al - SmF3 – nGe