Электрофизические свойства гетероперехода карбид кремния-кремний

Abstract

Объектом исследования является слои карбида кремния (p-типа) на кремниевой подложке (p– и n–типов). Предметом исследования являются электрофизические параметры гетероперехода карбид кремния/кремний. Цель работы – определение электрофизических свойств гетероперехода карбид кремния – кремний, получаемый методом эндотаксии. В процессе работы был использован метод фотолитографии для получения окон в окисле кремния на кремниевой подложке и метод эндотаксии для получения гетеропереходов карбид кремния/кремний в окнах окисла кремния. Были получены образцы слоев карбида кремния p-типа в окнах окисла кремния на кремниевых подложках n- и p-типов. В данной работе были измерены вольтамперные характеристики изотипных и анизотипных гетеропереходов в диапазоне температур от 20 до 200 °С, показано, что обратный ток анизотипных гетеропереходов слабо зависит от температуры. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электроники и аэрокосми