Фотоэлектрические свойства структур карбид кремния на кремнии и карбид кремния на поликоре в диапазоне длин волн от 200 до 1000 нм

Abstract

Целью данной работы является изучение фотоэлектрических свойств слоев карбида кремния на кремнии и карбида кремния на поликоре. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1. Рассмотреть способы получения тонких слоев карбида кремния на кремнии и на поликоре; 2. Исследовать морфологию поверхности, провести рентгенофазовыйанализ слоев карбида кремния, полученных методом магнетронного распыления на поликоровых и кремниевых подложках, и методом эндотаксии на кремниевых подложках. 3. Измерить спектры оптического отражения исследуемых структур в диапазоне длин волн от 200 до 1000 нм. 4. Провести исследование вольтамперных, люкс-амперных характеристик и релаксации фотопроводимости слоев карбида кремния на кремнии и на поликоре, дополнительно провести исследование релаксации фотоэдс гетероструктур карбид кремния на кремнии.