Изучение процессов образования дефектов в кремнии, легированном редкоземельным элементом

Abstract

В данной работе исследуется влияние электронного облучения на процессы дефектообразования в кремнии , легированном иттербием . Рассмотрены два метода легирования кремния : выращивание из расплава и диффузионный метод . Использование нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) над и одных структурах позволило оценить поведение кремния с примесью иттербия в условиях радиационного воздействия Облучение образцов электронами с энергиями 6 и 1 3 МэВ привело к образованию радиационных дефектов , таких как A - центры и E - центры . Результаты показали , что легирование кре мния иттербием значительно снижает концентрацию этих дефектов , особенно в образцах , легированных диффузионным ме тодом . Наибольшее снижение наблюдается в «бескислородном» кремнии, где концентрация A - центров и E - центров уменьшилась в несколько раз по сравнению с контрольными образцами . Эти результаты подтверждают, что атомы иттербия в кремнии взаимодейств