1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 04. Материалы конференций
  3. Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПодлипнов В. В.
dc.contributor.authorКолпаков А. И.
dc.coverage.spatialдиэлектрические подложки
dc.coverage.spatialизмерение чистоты поверхности
dc.coverage.spatialконцентрация органических загрязнений
dc.coverage.spatialмеханизм растекания
dc.coverage.spatialньютоновские жидкости
dc.coverage.spatialпроизводство интегральных микросхем
dc.coverage.spatialскорость растекания капли
dc.coverage.spatialстепень загрязнения поверхности
dc.coverage.spatialугол смачивания
dc.creatorПодлипнов В. В., Колпаков А. И.
dc.date2009
dc.date.accessioned2025-08-22T12:09:58Z-
dc.date.available2025-08-22T12:09:58Z-
dc.date.issued2009
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\559370
dc.identifier.citationПодлипнов, В. В. Моделирование растекания ньютоновской капли по поверхности диэлектрической подложки / В. В. Подлипнов, А. И. Колпаков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - [Ч. 1]. - С. 158-159.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/5928-
dc.languagerus
dc.relation.ispartofАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. - Текст : электронный
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций. - [Ч. 1]
dc.subjectдиэлектрические подложки
dc.subjectизмерение чистоты поверхности
dc.subjectконцентрация органических загрязнений
dc.subjectмеханизм растекания
dc.subjectньютоновские жидкости
dc.subjectпроизводство интегральных микросхем
dc.subjectскорость растекания капли
dc.subjectстепень загрязнения поверхности
dc.subjectугол смачивания
dc.titleМоделирование растекания ньютоновской капли по поверхности диэлектрической подложки
dc.typeText
dc.citation.epage159
dc.citation.spage158
local.contributor.authorПодлипнов В. В.
local.contributor.authorКолпаков А. И.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Modelirovanie-rastekaniya-nutonovskoi-kapli-po-poverhnosti-dielektricheskoi-podlozhki-110717
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Modelirovanie-rastekaniya-nutonovskoi-kapli-po-poverhnosti-dielektricheskoi-podlozhki-110717
Appears in Collections:Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-0672-8_2009-158-159.pdf95.12 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.