The Formation of Structural Imperfections in Semiconductor Silicon

Abstract

Используемые программы Adobe Acrobat

Today, it is difficult to imagine all spheres of human activity without personal computers, solid-state electronic devices, micro- and nanoelectronics, photoconverters, and mobile communication devices. The basic material of modern electronics and for all of these industries is semiconductor silicon. Its properties and applications are determined by defects in its crystal structure. However, until now, there has been no complete and reliable description of the creation and transformation of such a defective structure. This book solves this mystery through two different approaches to semiconductor silicon: the classical and the probabilistic.This book brings together, for the first time, all existing experimental and theoretical information on the internal structure of semiconductor silicon. It will appeal to a wide range of readers, from materials scientists and practical engineers to students.

Сегодня трудно представить все сферы человеческой деятельности без персональных компьютеров, твердотельных электронных устройств, микро- и наноэлектроники, фотопреобразователей, устройств мобильной связи. Основным материалом современной электроники и всех этих отраслей промышленности является полупроводниковый кремний. Его свойства и области применения определяются дефектами его кристаллической структуры. Однако до сих пор не было полного и достоверного описания создания и преобразования такой дефектной структуры. В этой книге эта загадка раскрывается с помощью двух разных подходов к полупроводниковому кремнию: классического и вероятностного.В этой книге впервые собраны воедино все существующие экспериментальные и теоретические сведения о внутренней структуре полупроводникового кремния. Она понравится широкому кругу читателей, от материаловедов и инженеров-практиков до студентов.