| Title: | Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического превращения атомов С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию |
| Authors: | Анисимов Н. С. Чепурнов В. И. |
| Keywords: | карбид кремния бетавольтаика CVD-метод полупроводниковые структуры электрическая энергия травление радиохимическое превращение атомов прямое преобразование энергии легирование кремний |
| Issue Date: | 2021 |
| Citation: | Анисимов, Н. С. Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического превращения атомов С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата). - Текст : электронный / Н. С. Анисимов ; рук. работы В. И. Чепурнов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики т. - 2021. - 1 файл (1,91 Мб) |
| Abstract: | Объектом исследования являются структуры карбида кремния наподложке кремния.Цель работы - анализ возможности создания эффективногопреобразователя энергии бета излучения в постоянный ток структуройкарбид кремния на подложке кремния.В данной работе проведен анализ научно-технической литературы,созданы образцы структур карбида кремния на подложке кремния, измерены“темновые” вольт-амперные зависимости. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/55244 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Анисимов_Никита_Сергеевич_Теоретические_прикладные_аспекты.pdf | 1.95 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.