Изменение параметров МДП-структур с соединениями РЗЭ в условиях повышенной влажности и температуры

Abstract

Объектом исследования данной работы являются МДП-структуры Al – YF3 –nGe, Al – NdF3 – nGe, Al – SmF3 – nGe, Al – NdF3 – nSi, Al – SmF3 – nSi, Al –NdF3 – nSi, Al – SmF3 – pSi, Al – NdF3 – pSi.Цель работы - исследование свойств фторидов и оксидов редкоземельныхэлементов (РЗЭ), направленное на поиск оптимального диэлектрика в рядуредкоземельных фторидов и оксидов, которые наименее подверженыповышению влажности и температуры окружающей среды.В данной работе получены вольт-фарадные характеристики исследуемыхструктур при комнатных условиях и в условиях повышенной влажности итемпературы. Рассчитаны значения эффективного заряда, плотностиповерхностных состояний и диэлектрической проницаемости. Проведенанализ рассчитанных параметров в зависимости от относительной влажностии температуры.