Квантовомеханическое моделирование электронных свойств бессвинцовых галогенидных перовскитов на основе олова в рамках теории функционала плотности

Abstract

Объектом исследования являются бессвинцовые галогенидные перовскиты вида CsSnX3, (X=I, Br, Cl). Цель работы − изучение электронных свойств объекта исследования в рамках теории функционала плотности. В рамках теории функционала плотности в приближении обобщенного градиента рассчитаны структурные характеристики, электронная зонная структура и плотности электронных состояний бессвинцовых галогенидных перовскитов на основе олова, с использованием программного пакета VASP. Рассчитаны комплексная диэлектрическая функция и показатели преломления и поглощения. На основании результатов проведено исследование электронных и оптических свойств данных бессвинцовых перовскитов для их приложения в фотовольтаике.