Устойчивость решений в физических моделях сложных динамических систем

Abstract

Объект исследования: ряд физических моделей, в том числе стандартная модель и её расширения. Цель – исследовать математические модели сложных физических систем: модель активного полупроводника и модель с двумя скалярными полями в КТП. Задачи исследования:1. Составить две математические модели (с периодической нелинейностью в полупроводнике, модель ренормгрупповых потоков в ДДМ) и провести их теоретический анализ с помощью методов нелинейной динамики.2. Рассчитать в предлагаемой модели описания облучаемого полупроводника концентрации электронов.3. Исследовать критические явления при эволюции поверхности минимумов в системе с двумя дублетами комплексных скалярных полей.4. Определить возможности оценки ренормгрупповых потоков каплингов расширения сектора Хиггса стандартной модели.В ходе исследования полупроводниковой модели были определены стабильные состояния, найдена зависимость оценки концентрации носителей зарядов от параметров: коэффициента ударной ионизации, рекомбинации, концентрации доноров и акцепт