Деградация фоточувствительных структур с пористым кремнием

Abstract

Объектом исследования данной работы являются структуры для создания фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе пористого кремния различных конфигураций. Цель работы – изучение изменений электрофизических параметров структур с пористым кремнием под воздействием облучения электронами и квантами рентгеновского излучения, а также с течением времени. Получены и исследованы структуры, содержащие слои пористого кремния до и после облучения квантами рентгеновского излучения и электронами, с покрытием из фторида эрбия и без него. Проведены исследования изменения характеристик структур после облучения и старения. Измерены вольтамперные характеристики исследуемых образцов. Результаты данной выпускной квалификационной работы могут быть использованы при разработке технологии создания структур для ФЭП на основе пористого кремния.