Модель фотоэлектрического преобразователя на основе гетероструктуры карбид кремния на кремнии с пористым слоем карбида кремния

Abstract

Объектом исследования являются фотоэлектрическиепреобразователи с пористым слоем.Предметом исследования является эффективность фотоэлектрическихпреобразователей.Цель данной работы: определение влияния слоя пористого карбидакремния на эффективность преобразователей солнечной энергии.В первой главе рассмотрены основные процессы преобразованияэнергии оптического (солнечного) излучения в полупроводниковыхфотоэлектрических преобразователях. Рассмотрены модели физическихявлений, связанных с потерями энергии в фотоэлектрическихпреобразователях.Во второй главе рассмотрены способы получения структур карбидакремния на пористом кремнии для фотоэлектрических преобразователей.Предложен способ получения фотоэлектрического преобразователя спористым слоем карбида кремния на поверхности.В третьей главе представлены результаты экспериментальныхисследований образцов фотопреобразователей с пористым слоем карбидакремния. Определена эффективность исследуемых фотопреобразователей.Результаты данной работы могут быт