Радиоэлектрический эффект в структурах карбид кремния на кремнии в условиях импульсного воздействия СВЧ мощности

Abstract

Объектом исследования является радиоэлектрический эффект, возникающий под действием импульсной СВЧ мощности, в структурах карбид кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксии. Предметом исследования являются образцы преобразователей уровня СВЧ мощности в ЭДС радиоэлектрического эффекта на основе структур карбида кремния на кремнии. Цель данной работы: исследовать радиоэлектрический эффект, возникающий в структурах карбида кремния на кремнии под действием импульсной СВЧ мощности. В первой главе подробно рассмотрен радиоэлектрический эффект. Вторая глава посвящена описанию методов получения карбида кремния. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. В третьей главе представлены результаты исследования радиоэлектрического эффекта, возникающего в структурах карбид кремния на кремнии под действием импульсной СВЧ мощности. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых приборов СВЧ диапазона, а также в области исследования электрофизических парам