1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 05. Выпускные квалификационные работы
  3. Выпускные квалификационные работы
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГаланин А. А.
dc.contributor.authorФилонин О. В.
dc.contributor.authorКалядин В. П.
dc.coverage.spatialполупроводниковая структура
dc.coverage.spatialполупроводники
dc.coverage.spatialрадиационные дефекты
dc.coverage.spatialCOMSOL Multiphysics
dc.coverage.spatialкосмическое излучение
dc.coverage.spatialгазоразрядные камеры
dc.coverage.spatialмоделирование электрического поля
dc.creatorГаланин А. А.
dc.date2019
dc.date.accessioned2025-11-27T12:29:36Z-
dc.date.available2025-11-27T12:29:36Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20191022131734
dc.identifier.citationГаланин, А. А. Моделирование влияния радиационных дефектов в полупроводнике на распределение электрического поля в воздушном зазоре газоразрядной камеры : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.01 "Прикладные математика и физика" (уровень бакалавриата) / А. А. Галанин ; рук. работы О. В. Филонин ; нормоконтролер В. П. Калядин ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, м. - Самара, 2019. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/51527-
dc.description.abstractОбъектом исследования является полупроводник, подверженныйвлиянию космического излучения.Цель работы – моделирование изменения распределения напряженностиэлектрического поля на поверхности полупроводника, находящегося вовнешнем однородном электрическом поле, в зависимости от наличия илокализации радиационных дефектов, возникших вследствие облучениякосмическим излучением.Использовался математический пакет для моделирования COMSOLMultiphysics версии 5.4. Для создания модели установки использовался модульElectrostatics и Semiconductor. Модуль Electrostatics применялся дляисследования электрического поля, модуль Semiconductor - для созданиямодели транзистора.
dc.subjectCOMSOL Multiphysics
dc.subjectрадиационные дефекты
dc.subjectполупроводниковая структура
dc.subjectполупроводники
dc.subjectмоделирование электрического поля
dc.subjectгазоразрядные камеры
dc.subjectкосмическое излучение
dc.subject.rugasnti47.33.29
dc.subject.udc621.382
dc.titleМоделирование влияния радиационных дефектов в полупроводнике на распределение электрического поля в воздушном зазоре газоразрядной камеры
dc.typeText
local.contributor.authorматематики и электроники
local.contributor.authorИнститут информатики
local.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Modelirovanie-vliyaniya-radiacionnyh-defektov-v-poluprovodnike-na-raspredelenie-elektricheskogo-polya-v-vozdushnom-zazore-gazorazryadnoi-kamery-vyp-kvalifi-82514
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Галанин_Алексей_Артурович_Моделирование_влияния_радиационных_дефектов.pdf3.02 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.