Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЕгоров Е.В.
dc.contributor.authorАрхипов А. В.
dc.contributor.authorЛофицкий И. В.
dc.coverage.spatialтехнологические процессы
dc.coverage.spatialосаждение тонких металлических пленок
dc.coverage.spatialкомпьютерное моделирование
dc.coverage.spatialдиэлектрическое основание
dc.coverage.spatialвероятностный клеточный автомат (ВКА)
dc.coverage.spatialрост тонких пленок
dc.creatorЕгоров Е.В.
dc.date2016
dc.date.accessioned2025-11-27T12:11:13Z-
dc.date.available2025-11-27T12:11:13Z-
dc.date.issued2016
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20160914145141
dc.identifier.citationЕгоров, Е.В. Моделирование процесса осаждения тонких металлических пленок на диэлектрическое основание : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Е. В. Егоров ; рук. работы А. В. Архипов; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т электроники и приборостроения,. - Самара, 2016. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/50147-
dc.description.abstractВ работе рассматривается компьютерное моделирование управляемого технологического процесса роста тонких пленок алюминия, заданной структуры, на диэлектрической подложке. Показана целесообразность использования метода вероятностного клеточного автомата для моделирования.Оценены вероятности протекания элементарных физико-химических процессов. Разработана физическая модель роста и описаны основные механизмы процесса формирования тонких пленок алюминия. Разработаны некоторые программные продукты, описывающие процесс роста тонкопленочной металлизации интегральных микросхем в условиях стандартного процесса осаждения с использованием метода вероятностного клеточного автомата.
dc.subjectвероятностный клеточный автомат (ВКА)
dc.subjectдиэлектрическое основание
dc.subjectкомпьютерное моделирование
dc.subjectосаждение тонких металлических пленок
dc.subjectрост тонких пленок
dc.subjectтехнологические процессы
dc.subject.rugasnti29.29
dc.subject.rugasnti50.01
dc.subject.udc539.1
dc.subject.udc004.4
dc.titleМоделирование процесса осаждения тонких металлических пленок на диэлектрическое основание
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.authorИнститут электроники и приборостроения
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/VKR/Modelirovanie-processa-osazhdeniya-tonkih-metallicheskih-plenok-na-dielektricheskoe-osnovanie-vyp-kvalifikac-rabota-po-spec-Elektronika-i-nanoelektronika-59095
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.