Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПодгорнов С. Н.
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.
dc.contributor.authorнаноматериалов С.
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.
dc.contributor.authorЗайцев В. В.
dc.coverage.spatialполупроводниковые газовые датчики
dc.coverage.spatialполупроводниковые гетероструктуры por-Si-C/Si
dc.coverage.spatialполупроводниковые материалы
dc.coverage.spatialчувствительные элементы датчиков
dc.creatorПодгорнов С. Н.
dc.date2017
dc.date.accessioned2025-11-27T12:34:27Z-
dc.date.available2025-11-27T12:34:27Z-
dc.date.issued2017
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190419162803
dc.identifier.citationПодгорнов, С. Н. Полупроводниковый газовый датчик на основе полупроводниковой гетероструктуры por-Si-C/Si : вып. квалификац. работа [по направлению "Физика"] / Подгорнов Сергей Николаевич ; рук. работы В. И. Чепурнов ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники. - Самара, 2017. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/48991-
dc.subjectполупроводниковые материалы
dc.subjectчувствительные элементы датчиков
dc.subjectполупроводниковые гетероструктуры por-Si-C/Si
dc.subjectполупроводниковые газовые датчики
dc.subject.rugasnti47.29.31
dc.subject.udc621.383
dc.titleПолупроводниковый газовый датчик на основе полупроводниковой гетероструктуры por-Si-C/Si
dc.typeText
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.authorпорошковой м.
local.contributor.authorдоцент к. м.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Poluprovodnikovyi-gazovyi-datchik-na-osnove-poluprovodnikovoi-geterostruktury-porSiCSi-vyp-kvalifikac-rabota-po-spec-Fizika-78525
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.