Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКондратьев П. А.
dc.contributor.authorЗанин В. И.
dc.coverage.spatialрассеяние волн
dc.coverage.spatialp-i-n диоды
dc.coverage.spatialдифракция волны
dc.coverage.spatialметод проекционного сшивания
dc.coverage.spatialСВЧ- переключатели
dc.coverage.spatialволноводные фазовращатели
dc.coverage.spatialчисленные расчеты
dc.coverage.spatialэлектродинамический анализ
dc.creatorКондратьев П. А.
dc.date2018
dc.date.accessioned2025-11-27T12:34:17Z-
dc.date.available2025-11-27T12:34:17Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111003
dc.identifier.citationКондратьев, П. А. Электродинамический анализ волноводных СВЧ-устройств на основе распределенных P-I-N диодных структур : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / П. А. Кондратьев ; рук. работы В. И. Занин ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. радиофизики, пол. - Самара, 2018. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/48964-
dc.description.abstractВ дипломной работе проведено строгое решение задачи о рассеянии волны10 H типа на полупроводниковом стержне в волноводе. Задача решена методомпроекционного сшивания.На основе анализа распространения волны основного типа в прямоугольномволноводе, содержащем полупроводниковые структуры, показана возможностьрасчета СВЧ- аттенюаторов, переключателей и фазовращателей, выполненных нар-i-n диодах,Показано также, что использование явления волноводно-диэлектрическогорезонанса позволяет улучшить характеристики СВЧ- переключателей.
dc.subjectp-i-n диоды
dc.subjectэлектродинамический анализ
dc.subjectчисленные расчеты
dc.subjectСВЧ- переключатели
dc.subjectрассеяние волн
dc.subjectметод проекционного сшивания
dc.subjectволноводные фазовращатели
dc.subjectдифракция волны
dc.subject.rugasnti47.03
dc.subject.udc621.382.3
dc.titleЭлектродинамический анализ волноводных СВЧ-устройств на основе распределенных P-I-N диодных структур
dc.typeText
local.contributor.authorЕстественнонаучный институт
local.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Elektrodinamicheskii-analiz-volnovodnyh-SVChustroistv-na-osnove-raspredelennyh-PIN-diodnyh-struktur-vyp-kvalifikac-rabota-po-napravleniu-Fizika-uroven-bakalavriata-78441
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.