Гетероструктура карбид кремния на кремнии для солнечных элементов

Abstract

Выпускная квалификационная работа включает в себя 56 страниц, 3главы, введение, заключение, 34 рисунка, 5 таблиц, 26 литературныхисточников.Объектом исследования являются структуры для фотоэлектрическихпреобразователей с пористым слоем.Предметом исследования являются оптические и электрофизическиепараметры исследуемых структур.Цель данной работы: определение влияния слоя пористого карбидакремния на электрофизические и оптические характеристикипреобразователей солнечной энергии.В первой главе рассмотрены основные процессы преобразованияэнергии оптического (солнечного) излучения в полупроводниковыхфотоэлектрических преобразователях. Подробно рассмотрены технологияполучения и свойства пористого кремния. Во второй главе рассмотреныспособы получения структур карбида кремния на пористом кремнии дляфотоэлектрических преобразователей. В третьей главе представленырезультаты экспериментальных исследований образцовфотопреобразователей с пористым слоем карбида кремния.Результаты данной работы могут быть