Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСиницын Л. И.
dc.contributor.authorПаранин В. Д.
dc.contributor.authorМатюнин С. А.
dc.coverage.spatialэффект Фарадея
dc.coverage.spatialмагнитное поле
dc.coverage.spatialмагнитооптические датчики
dc.coverage.spatialполяризованное излучение
dc.coverage.spatialматрица Джонса
dc.creatorСиницын Л. И.
dc.date2017
dc.date.accessioned2025-11-27T12:34:41Z-
dc.date.available2025-11-27T12:34:41Z-
dc.date.issued2017
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20171215152513
dc.identifier.citationСиницын, Л. И. Компьютерное моделирование магнитооптических датчиков на основе эпитаксиальных пленок железо - иттриевого граната, легированных висмутом : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Л. И. Синицын ; рук. работы В. Д. Паранин; рец. С. А. Матюнин ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и элект. - Самара, 2017. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/47565-
dc.description.abstractОбъектом исследования являются магнитооптические датчики, построенные на основе продольного эффекта Фарадея. Цель работы – моделирование и анализ передаточной характеристики однокаскадного магнитооптического датчика при различной поляризации входного пучка и азимутальных углах элементов схемы. В процессе работы использованы следующие математические модели описания оптических схем: модель, основанная на законе Малюса, и модель, основанная на методе матриц Джонса. Эффективность работы заключается в том, что разработанная математическая модель и программное обеспечение позволяют учесть неидеальность элементов схемы макетного образца датчика.
dc.subjectмагнитооптические датчики
dc.subjectмагнитное поле
dc.subjectэффект Фарадея
dc.subjectполяризованное излучение
dc.subjectматрица Джонса
dc.subject.rugasnti45.37
dc.subject.udc621.383
dc.titleКомпьютерное моделирование магнитооптических датчиков на основе эпитаксиальных пленок железо - иттриевого граната, легированных висмутом
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерации
local.contributor.authorматематики и электроники
local.contributor.authorИнститут информатики
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/VKR/Komputernoe-modelirovanie-magnitoopticheskih-datchikov-na-osnove-epitaksialnyh-plenok-zhelezo-ittrievogo-granata-legirovannyh-vismutom-vyp-kvalifikac-rabota-po-spec-Elektronika-i-nanoelektronika-69353
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.