Моделирование электронных свойств муаровых сверхрешеток

Abstract

Объектом исследования является скрученный двухслойный графен. Цель работы: моделирование и расчет транспортных свойств муаровой сверхрешетки на основе двухслойного графена. В работе получены следующие результаты: 1. На основе подхода Бистритцера-Макдональда построена модель муаровой сверхрешетки скрученного двуслойного графена, учитывающая линейную дисперсию однослойного графена около К-точки. Предлагаемая модель использует эмпирически подобранный параметр межслойного туннелирования. 2. В рамках построенной модели выполнены следующие расчеты: 1) проведено численное моделирование зонной структуры TBLG для различных углов закручивания. Подтверждено, что при малых углах формируются плоские энергетические зоны; 2) расчет плотности состояний. Показано, что наша модель воспроизводит наблюдаемую в экспериментах немонотонную зависимость проводимости от угла скручивания; 3) расчет зависимости проводимости от плотности состояний и угла скручивания в TBLG. Показано усиление проводимости при "магическом" значении угла вб