| Title: | Чувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изоляторе |
| Authors: | Богомолов А. С. Щербак А. В. Зайцев В. В. |
| Keywords: | магнетронное распыление эффект Холла эпитаксия радиоэлектрический эффект карбид кремния импульсная СВЧ мощность |
| Issue Date: | 2017 |
| Citation: | Богомолов, А. С. Чувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изоляторе : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" / А. С. Богомолов ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. радиофизики, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2017. - on-line |
| Abstract: | Объектом исследования является радиоэлектрический эффект в структурах карбид кремния на изоляторе, получаемых методом магнетронного распыления, возникающий под действием импульсной СВЧ мощности. Предметом исследования являются образцы преобразователей уровня СВЧ мощности в ЭДС радиоэлектрического эффекта на основе структур карбида кремния на изоляторе. Цель данной работы: исследовать радиоэлектрический эффект, возникающий в структурах карбида кремния на изоляторе под действием импульсной СВЧ мощности и определить степень влияния термоэлектрического эффекта на величину радиоэдс. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/44685 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Богомолов_Алексей_Сергеевич_Чувствительный_элемент_датчика_импульсной.pdf | 1.59 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.