Title: Чувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изоляторе
Authors: Богомолов А. С.
Щербак А. В.
Зайцев В. В.
Keywords: магнетронное распыление
эффект Холла
эпитаксия
радиоэлектрический эффект
карбид кремния
импульсная СВЧ мощность
Issue Date: 2017
Citation: Богомолов, А. С. Чувствительный элемент датчика импульсной СВЧ мощности на основе структуры SiC на изоляторе : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" / А. С. Богомолов ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. радиофизики, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2017. - on-line
Abstract: Объектом исследования является радиоэлектрический эффект в структурах карбид кремния на изоляторе, получаемых методом магнетронного распыления, возникающий под действием импульсной СВЧ мощности. Предметом исследования являются образцы преобразователей уровня СВЧ мощности в ЭДС радиоэлектрического эффекта на основе структур карбида кремния на изоляторе. Цель данной работы: исследовать радиоэлектрический эффект, возникающий в структурах карбида кремния на изоляторе под действием импульсной СВЧ мощности и определить степень влияния термоэлектрического эффекта на величину радиоэдс.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/44685
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.