Фотоэлектрические и оптические свойства структур карбида кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксии

Abstract

Выпускная работа включает в себя 41 страниц, 3 главы, введение, заключение, 20 рисунков, 36 литературных источника. Объектом исследования являются структуры карбида кремния на кремнии, получаемые методом эндотаксии. Предметом исследования являются фотоэлектрические и оптические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить оптические и фотоэлектрические свойства структур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии. В первой главе рассмотрены способы получения как объемных образцов карбида кремния, так и в виде пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. Вторая глава посвящена методам определения оптических параметров полупроводников и структур. В третьей главе представлены результаты определения оптических параметров структур карбид кремния на кремнии. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электрони