Структуры с пористым кремнием, допированным эрбием, для оптоэлектроники

Abstract

Цель работы - изучение свойств пористого кремния, допированного эрбием, для создания материалов, позволяющих существенно расширить диапазон эффективно используемого спектра, а впоследствии создание более эффективного фотоэлектрического преобразователя солнечных панелей. Результаты исследований подтверждают возможность использования пористого кремния, допированного ионами эрбия, в качестве материала для оптоэлектроники. Интересными для исследования характеристиками таких образцов являются их способность к ап-конверсии и люминесценции. Кроме того, спектры микрофотолюминесценции показали зависимость интенсивности фотолюминесценции от пористости кремния, что может быть использовано для разработки более эффективных фотоэлектрических преобразователей на основе пористого кремния.