Title: Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках
Authors: Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Кричевский С. В.
Keywords: p-n-области
эффект Пельтье
тип проводимости
термоэлектрические эффекты
термоЭДС
полупроводники
методы расчета параметров
глубина легирования
p-n-переход
эффект Томпсона
Issue Date: 2016
Publisher: Изд-во Самар. ун-та
Citation: Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line
Abstract: Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).
Используемые программы: Adobe Acrobat.
Гриф.
Приведены физические основы термоэлектрических эффектов в полупроводниках, аналитическое описание механизма формирования термоЭДС, эффектов Пельтье и Томпсона, методов измерения и расчета их параметров, определения типа проводимости полупроводника и геоме
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/41514
Appears in Collections:Методические издания

Files in This Item:
File SizeFormat 
Колпаков А.И. Исследование механизмов.pdf319.95 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.