| Title: | Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках |
| Authors: | Колпаков А. И. Колпаков В. А. Кричевский С. В. |
| Keywords: | p-n-области эффект Пельтье тип проводимости термоэлектрические эффекты термоЭДС полупроводники методы расчета параметров глубина легирования p-n-переход эффект Томпсона |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Изд-во Самар. ун-та |
| Citation: | Исследование механизмов формирования термоэлектрических эффектов в полупроводниках [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line |
| Abstract: | Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). Используемые программы: Adobe Acrobat. Гриф. Приведены физические основы термоэлектрических эффектов в полупроводниках, аналитическое описание механизма формирования термоЭДС, эффектов Пельтье и Томпсона, методов измерения и расчета их параметров, определения типа проводимости полупроводника и геоме |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/41514 |
| Appears in Collections: | Методические издания |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Колпаков А.И. Исследование механизмов.pdf | 319.95 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.