Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКолпаков В. А.
dc.contributor.authorКолпаков А. И.
dc.coverage.spatialдиффузионный ток
dc.coverage.spatialдонорная примесь
dc.coverage.spatialдрейфовая скорость
dc.coverage.spatialдрейфовый ток
dc.coverage.spatialдырочный ток
dc.coverage.spatialметодические издания
dc.coverage.spatialпримесная электропроводность полупроводников
dc.coverage.spatialпримесные полупроводники
dc.coverage.spatialсобственная проводимость
dc.coverage.spatialсобственные полупроводники
dc.coverage.spatialтерморезисторы
dc.date2009
dc.date.accessioned2025-11-26T12:21:05Z-
dc.date.available2025-11-26T12:21:05Z-
dc.date.issued2009
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\478852
dc.identifier.citationИсследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле : метод. указания к лаб. работе / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. В. А. Колпаков, А. И. Колпаков. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - 1 файл (2,18 Мб). - Текст : электронный
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/40128-
dc.description.abstractГриф.
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.
dc.description.abstractОписывается физический механизм возникновения терморезистивного явления в кремнии в диапазоне температур 23-100°С, изложены принципы формировании электрических характеристик терморезистора и схем его включения в электронные схемы. Предназначены для студентов специальности 210.201.00 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств". Выполнены на кафедрах "Электронные системы и устройства" и "Техническая кибернетика".
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия).
dc.languagerus
dc.publisherИзд-во СГАУ
dc.relation.isformatofИсследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле : метод. указания к лаб. работе
dc.subjectдиффузионный ток
dc.subjectдонорная примесь
dc.subjectдрейфовая скорость
dc.subjectдрейфовый ток
dc.subjectдырочный ток
dc.subjectметодические издания
dc.subjectпримесная электропроводность полупроводников
dc.subjectпримесные полупроводники
dc.subjectсобственная проводимость
dc.subjectсобственные полупроводники
dc.subjectтерморезисторы
dc.subject.rugasnti47.33.29
dc.subject.udc621.382(075)
dc.titleИсследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле
dc.typeText
local.contributor.authorФедеральное агентство по образованию
local.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-parametrov-termorezistivnogo-effekta-v-tverdom-tele-97685
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-parametrov-termorezistivnogo-effekta-v-tverdom-tele-97685
Appears in Collections:Методические издания



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.