| Title: | Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах |
| Authors: | Бояринцев В. И. |
| Keywords: | криогенная электроника криогенные температуры методические указания полупроводниковые приборы |
| Issue Date: | 1989 |
| Citation: | Исследование параметров полупроводниковых приборов при низких температурах : метод. указания к лаб. работе по курсу "Криог. электроника” / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева, Каф. "Конструирования радиоэлектрон. аппаратуры" ; [сост. Бояринцев В. И.]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (2,29 Мб). - Текст : электронный |
| Abstract: | В настоящих методических указаниях даны рекомендации по выполнению лабораторной работы. Приводятся необходимые теоретические и экспериментальные сведения о поведении полупроводниковых приборов при криогенных температурах. Гриф. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/40122 |
| Appears in Collections: | Методические издания |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Бояринцев В.И. Исследование параметров полупроводниковых 1989.pdf | 2.34 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.