Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПромятов А. И.
dc.contributor.authorЗамащиков Ю. И.
dc.coverage.spatialрежимы резания
dc.coverage.spatialповерхности малой кривизны
dc.coverage.spatialобработка резанием
dc.coverage.spatialповерхностные слои деталей
dc.coverage.spatialостаточные напряжения
dc.creatorПромятов А. И., Замащиков Ю. И.
dc.date1982
dc.date.accessioned2025-08-27T15:41:56Z-
dc.date.available2025-08-27T15:41:56Z-
dc.date.issued1982
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\563110
dc.identifier.citationПромятов, А. И. Остаточное напряженное состояние поверхностного слоя, формирующегося при обработке резанием / А. И. Промятов, Ю. И. Замащиков // Высокоэффективные методы обработки резанием жаропрочных и титановых сплавов : межвуз. сб. / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева. - Куйбышев : КуАИ, 1982. - С. 162-167.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/33435-
dc.sourceВысокоэффективные методы обработки резанием жаропрочных и титановых сплавов : межвуз. сб.
dc.subjectрежимы резания
dc.subjectповерхности малой кривизны
dc.subjectобработка резанием
dc.subjectповерхностные слои деталей
dc.subjectостаточные напряжения
dc.titleОстаточное напряженное состояние поверхностного слоя, формирующегося при обработке резанием
dc.typeText
dc.citation.epage167
dc.citation.spage162
local.contributor.authorПромятов А. И.
local.contributor.authorЗамащиков Ю. И.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vysokoeffektivnye-metody/Ostatochnoe-napryazhennoe-sostoyanie-poverhnostnogo-sloya-formiruushegosya-pri-obrabotke-rezaniem-112373
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vysokoeffektivnye-metody/Ostatochnoe-napryazhennoe-sostoyanie-poverhnostnogo-sloya-formiruushegosya-pri-obrabotke-rezaniem-112373
Appears in Collections:Высокоэффективные методы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Стр.-162-167.pdf211.74 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.