Title: Датчики температуры на основе полупроводниковых материалов типа Аш Ву
Authors: Камышникова А. А.
Keywords: датчик из JnSb p-типа
датчики температуры
потенциометрические методы анализа
полупроводниковые материалы
погрешность измерений
мостиковая форма датчика
чувствительность
удельное сопротивление
соединения типа АШВУ
температурный коэффициент
Issue Date: 1974
Citation: Камышникова, А. А. Датчики температуры на основе полупроводниковых материалов типа Аш Ву. - Текст : электронный / А. А. Камышникова // Автоматические измерительные и регулирующие устройства : науч. тр. вузов Поволжья. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева. - 1974. - . - С. 35-39
Abstract: В работе изложены результаты экспериментальной проверки температурного датчика из JnSb p-типа в интервале температур 0 - -190°С. Обоснован выбор материала датчика, предложена форма датчика, позволяющая уменьшить ошибки измерения, описана технология изготовления его и методика измерения. По экспериментальной кривой выбран рабочий участок измерения, рассчитаны для него чувствительность и температурный коэффициент. Приведена математическая аппроксимация рабочего участка кривой.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/24386
Appears in Collections:Автоматические измерительные и регулирующие устройства

Files in This Item:
File SizeFormat 
Стр. 35-39.pdf166.93 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.