Title: Влияние слабой инжекции на пространственно-временные неустойчивости в широкоапертурном полупроводниковом лазере с вертикальным резонатором
Authors: Ярунова, Е.А.
Кренц, А.А.
Молевич, Н.Е.
Issue Date: Nov-2023
Publisher: Самарский национальный исследовательский университет
Citation: Ярунова, Е.А. Влияние слабой инжекции на пространственно-временные неустойчивости в широкоапертурном полупроводниковом лазере с вертикальным резонатором / Е.А. Ярунова, А.А. Кренц, Н.Е. Молевич // Компьютерная оптика. – 2023. – Т. 47, № 6. – С. 920-926. – DOI: 10.18287/2412-6179-CO-1288.
Series/Report no.: 47;6
Abstract: В работе теоретически исследована динамика широкоапертурного полупроводникового поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL) с учетом фактора Генри. Выполнен линейный анализ устойчивости пространственно-однородного режима генерации, и показано, что в таких лазерах развивается модуляционная неустойчивость. Определен минимальный размер апертуры, при которой начинает развиваться неустойчивость оптического поля. Результаты подтверждены численным решением системы дифференциальных уравнений. Показано, что подавление модуляционной неустойчивости может достигаться при инжекции в резонатор внешнего оптического излучения малой амплитуды.
URI: https://dx.doi.org/10.18287/2412-6179-CO-1288
http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/23139
Appears in Collections:Журнал "Компьютерная оптика"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2412-6179_2023_47_6_920-926.pdf901.52 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.