Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Пиганов, М.Н. | |
| dc.contributor.author | Новомейский, Д.Н. | |
| dc.date | 2018 | |
| dc.date.accessioned | 2025-08-22T12:19:35Z | - |
| dc.date.available | 2025-08-22T12:19:35Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.identifier | Dspace\SGAU\20180515\69306 | |
| dc.identifier.citation | Пиганов М.Н. Моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов методом факельного разряда/М.Н. Пиганов, Д.Н. Новомейский// Сборник трудов IV международной конференции и молодежной школы «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2018) - Самара: Новая техника, 2018. - С. 1698-1705 | |
| dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/13967 | - |
| dc.description.abstract | Приведена процедура математического моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов гибридных интегральных микросхем методом факельного разряда. Описано устройство, обеспечивающее подгонку резисторов с заданной точностью. Получено математическое выражение, которое связывает все физические и геометрические параметры системы «разряд-резистор-подложка» и технологический параметр. Разработаны рекомендации по повышению стабильности резисторов после подгонки.//The procedure is provided mathematical process modeling of adjustment of thick film resistors of hybrid integrated microcircuits is provided by method of torch discharge. The device providing adjustment of resistors with the given accuracy is described. A mathematical expression is obtained that relates all the physical and geometrical parameters of the system "discharge-resistor-substrate" and the technological parameter. Recommendations about stability augmentation of resistors after adjustment are developed. | |
| dc.language | rus | |
| dc.publisher | Новая техника | |
| dc.relation.ispartofseries | 3;227 | |
| dc.title | Моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов методом факельного разряда | |
| dc.title.alternative | Process modeling of adjustment of thick film resistors by method of flare discharge | |
| dc.type | Article | |
| local.identifier.olduri | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Modelirovanie-processa-podgonki-tolstoplenochnyh-rezistorov-metodom-fakelnogo-razryada-69306 | |
| local.identifier.olduri | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Modelirovanie-processa-podgonki-tolstoplenochnyh-rezistorov-metodom-fakelnogo-razryada-69306 | |
| Appears in Collections: | Информационные технологии и нанотехнологии | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| paper_227.pdf | Основная статья. | 274.72 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.