Моделирование теплоэлектрических процессов в мощном МОП СВЧ транзисторе с дефектом структуры

Abstract

Представлены результаты теплового моделирования распределения температуры в структурах мощного МОП СВЧ транзистора с макродефектами электрофизической природы. Показано, что наличие дефекта в структуре транзистора приводит к повышению максимальной температуры перегрева канала и увеличению неоднородности распределения температуры по площади активной области кристалла. Рассмотрено влияние расположения дефекта на величину максимального перегрева структуры и напряжения затвор-исток. Разработанная тепловая модель может служить основой для создания методик диагностики МОП транзисторов по теплоэлектрическим характеристикам и выявления дефектных изделий. The results of thermal modeling of the temperature distribution in the structures of a high-power MOSFET transistor with macrodefects of an electrophysical nature are presented. It is shown that the presence of a defect in the structure of the transistor leads to an increase in the maximum temperature of the channel overheating and an increase in the inhomogeneity of the temperature distribution over the area of the active region of the crystal. The influence of the location of the defect on the value of the maximum overheating of the structure and the gate-source voltage is considered. The developed thermal model can serve as the basis for creating methods for diagnosing MOSFET transistors by thermoelectric characteristics and identifying defective products.