Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВолодина О. В.
dc.contributor.authorСкворцов А. А.
dc.contributor.authorНиколаев В. К.
dc.coverage.spatialвычисления в памяти
dc.coverage.spatialдиэлектрический слой теплоизоляции
dc.coverage.spatialвычислительные системы
dc.coverage.spatialлогические вентили
dc.coverage.spatialэлементы тепловой памяти
dc.coverage.spatialрасчет трехмерной модели
dc.coverage.spatialраспространение теплового поля
dc.creatorВолодина О. В., Скворцов А. А., Николаев В. К.
dc.date2024
dc.date.accessioned2025-08-22T12:17:48Z-
dc.date.available2025-08-22T12:17:48Z-
dc.date.issued2024
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\563407
dc.identifier.citationВолодина, О. В. Логические вентили на основе элементов тепловой памяти / О. В. Володина, А. А. Скворцов, В. К. Николаев // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2024) : сб. тр. по материалам X Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 мая 2024 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т). - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2024. - Т. 3: Искусственный интеллект : под ред. А. В. Никонорова, 2024. - С. 030762.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/12448-
dc.description.abstractАнализируется возможность применения элементов тепловой памяти для создания системы, позволяющей производить вычисления в памяти. Подобная вычислительная система строится на устройствах, которые используются одновременно для хранения входных данных, выполнения логической операции и сохранения выходного результата. Авторы приходят к выводу, что подобное поведение возможно эмулировать используя элементы тепловой памяти с диэлекрическим (SiO2) слоем теплоизоляции. Особое внимание уделено логическим элементам вычислительных систем и их реализации на основе элементов тепловой памяти. Имитационное моделирование работы подобных элементов проведено на платформе ANSYS Workbench с использованием модуля Transient Thermal для нестационарных тепловых расчетов. На основе моделирования установлена возможность создания двух основных логических элементов «AND» и «OR».
dc.languagerus
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2024) : сб. тр. по материалам X Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 мая 2024 г.): в 6 т.
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2024). - Т. 3 : Искусственный интеллект : под ред. А. В. Никонорова
dc.subjectвычисления в памяти
dc.subjectдиэлектрический слой теплоизоляции
dc.subjectвычислительные системы
dc.subjectлогические вентили
dc.subjectэлементы тепловой памяти
dc.subjectрасчет трехмерной модели
dc.subjectраспространение теплового поля
dc.titleЛогические вентили на основе элементов тепловой памяти
dc.typeText
dc.citation.spage030762
dc.citation.volume3
local.contributor.authorВолодина О. В.
local.contributor.authorСкворцов А. А.
local.contributor.authorНиколаев В. К.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Logicheskie-ventili-na-osnove-elementov-teplovoi-pamyati-112614
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Logicheskie-ventili-na-osnove-elementov-teplovoi-pamyati-112614
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-2080-9_2024-030762.pdf343.87 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.