1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 04. Материалы конференций
  3. Информационные технологии и нанотехнологии
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПермякова О. О.
dc.contributor.authorРогожин А. Е.
dc.contributor.authorМяконьких А. В.
dc.contributor.authorСмирнова Е. А.
dc.contributor.authorРуденко К. В.
dc.coverage.spatialрезистивные переключения
dc.coverage.spatialмемристоры
dc.coverage.spatialнейроморфные системы
dc.coverage.spatialпотенциация
dc.coverage.spatialоксиды гафния
dc.creatorПермякова О. О., Рогожин А. Е., Мяконьких А. В., Смирнова Е. А., Руденко К. В.
dc.date2022
dc.date.accessioned2025-08-22T12:19:41Z-
dc.date.available2025-08-22T12:19:41Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\491239
dc.identifier.citationВлияние амплитуды импульса на линейность обновления веса в мемристорах на основе оксида гафния / О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин, А. В. Мяконьких, Е. А. Смирнова, К. В. Руденко // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 4: Искусственный интеллект / под ред. А. В. Никонорова. - 2022. - С. 042312.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/12399-
dc.description.abstractЛинейность изменения проводимости мемристора влияет на точность обучения аналоговых нейроморфных систем. Обычно линейности изменения веса добиваются за счет изменения формы сигнала, но это требует включения в аналоговую цепь дополнительной переферии. В работе рассмотрено влияние амплитуды импульса сигнала на потенциацию мемристора на основе оксида гафния. Показано, что при уменьшении модуля амплитуды импульса увеличивается линейность изменения проводимости прибора. Также показано, что существует напряжение при котором проводимость изменяется наилучшим образом.
dc.languagerus
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. -
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022). - Т. 4 : Искусственный интеллект
dc.subjectрезистивные переключения
dc.subjectмемристоры
dc.subjectнейроморфные системы
dc.subjectпотенциация
dc.subjectоксиды гафния
dc.titleВлияние амплитуды импульса на линейность обновления веса в мемристорах на основе оксида гафния
dc.typeText
dc.citation.spage042312
dc.citation.volume4
local.contributor.authorПермякова О. О.
local.contributor.authorРогожин А. Е.
local.contributor.authorМяконьких А. В.
local.contributor.authorСмирнова Е. А.
local.contributor.authorРуденко К. В.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Vliyanie-amplitudy-impulsa-na-lineinost-obnovleniya-vesa-v-memristorah-na-osnove-oksida-gafniya-100201
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File SizeFormat 
ИТНТ-2022. Том 4. Искусственный интеллект/978-5-7883-1792-2_2022-042312.pdf859.82 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.