Влияние радиационных дефектов в полупроводниковой структуре на распределение ЭМП в воздушном зазоре газоразрядной камеры

Abstract

Предложена и исследована теоритическая модель процесса влияния полупроводниковой структуры без радиационных дефектов и с их наличием на профиль ЭМП в воздушном зазоре газоразрядной камеры вблизи поверхности структуры. Проведено математическое моделирование и сравнение распределения электрического поля в зазоре для структуры «идеальной» (без дефектов) и структур с различным количеством, размером и распределением дефектов. В качестве полупроводниковой структуры был выбран полевой транзистор. Показана принципиальная возможность использования моделируемого процесса для диагностики радиационных дефектов в РЭА в условиях космоса. A theoretical model of the influence of a semiconductor structure without radiation defects and with their presence on the EMI profile in the air gap of the gas-discharge chamber near the surface of the structure is proposed and analyzed. Mathematical modeling and comparison of the electric field distribution in the gap for the “ideal” structure (without defects) and structures with different number, size and spatial distribution of defects was carried out. A field-effect transistor was chosen as the semiconductor structure. Principal opportunity of using the simulated process for diagnosing radiation defects in electronic equipment in space conditions is shown.