Моделирование теплоэлектрических процессов в полупроводниковой структуре солнечного элемента

Abstract

Рассматривается теплоэлектрическая модель полупроводниковой структуры солнечного элемента с учетом нелинейной температурной зависимости плотности тепловой мощности. Приводится температурное распределение по структуре и зависимость величины перегрева p-n перехода от греющего тока. Производится сравнение полученных с помощью модели расчетных и экспериментальных результатов, полученных с применением оригинального аппаратно-программного комплекса для измерения теплового сопротивления солнечных элементов. The paper describes a solar cell thermoelectric model taking into account the non-linear temperature dependence of the thermal power density. The temperature distribution in the structure and dependence of the p–n-junction overheating on the heating current are reviewed. The results obtained by the modelling and the results obtained using original apparatus for measuring the thermal resistance of solar cell are compared.