Моделирование процессов порообразования на подложках кремния с текстурированной поверхностью

Abstract

В работе представлено исследование механизма порообразования на кремниевых пластинах (100) с текстурированной поверхностью p-типа проводимости и удельным сопротивлением 5 Ом см при электролитическом травлении в гальваностатическом режиме в растворах плавиковой кислоты в соотношении HF:C2H5OH (1:1). Учтено влияние электрического поля на процесс формирования пористых структур. Получено экспериментальное согласование модели распределения поля в электролите и распределения удельного сопротивления по поверхности кремниевой пластины. Подтверждено, что формирование пор начинается и продолжается между стыками пирамид, т.е. в областях на поверхности с максимальной напряженностью поля. In this work, we received a map of the distribution of the potential field of the surface layer during the electrochemical etching of silicon. A comparison was made of the field distribution in cells with different types: horizontal and vertical. The rate and direction of electrolyte, flowing though the pores of different forms, is shown.