Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКренц, А.А.
dc.contributor.authorАнчиков, Д.А.
dc.contributor.authorМолевич, Н.Е.
dc.contributor.authorЯрунова, Е.А.
dc.date2019
dc.date.accessioned2025-08-22T12:18:22Z-
dc.date.available2025-08-22T12:18:22Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.identifierDspace\SGAU\20190419\75609
dc.identifier.citationКренц А.А. Стабилизация широкоапертурных полупроводниковых лазеров с помощью внешней оптической инжекции / А.А. Кренц, Д.А. Анчиков, Н.Е. Молевич, Е.А. Ярунова // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН ; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника. - 2019. - С. 278-282.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/11111-
dc.description.abstractРабота посвящена аналитическому и численному исследованию пространственно-временной динамики широкоапертурного полупроводникового лазера с инжекцией внешнего оптического излучения. Моделирование динамики лазера проводилось с помощью систему уравнений Максвелла-Блоха. Показано, что инжекция внешнего оптического излучения позволяет подавить неустойчивые поперечные моды и стабилизировать излучение лазера. В работе изучено влияние расстройки между частотой генерируемого и инжектируемого излучения. Определена область параметров расстройки и амплитуды инжектируемого излучения, при которых происходит эффективная стабилизация полупроводниковых широкоапертурных лазеров. The paper is devoted to the analytical and numerical investigation of the spatio-temporal dynamics of a broad-area semiconductor laser with external optical injection. The laser dynamics was simulated by using the Maxwell-Bloch equations. It is shown that the external optical injection makes it possible to suppress unstable transverse modes and stabilize the laser output. The paper studies the effect of detuning between the frequency of the generated and injected radiation. The range of the parameters of the detuning and the amplitude of the injected signal, in which the effective stabilization of semiconductor broad-area lasers occurs, is determined.
dc.languagerus
dc.publisherИзд-во «Новая техника»
dc.titleСтабилизация широкоапертурных полупроводниковых лазеров с помощью внешней оптической инжекции
dc.title.alternativeStabilization of broad-area semiconductor lasers by external optical injection
dc.typeArticle
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Stabilizaciya-shirokoaperturnyh-poluprovodnikovyh-lazerov-s-pomoshu-vneshnei-opticheskoi-inzhekcii-75609
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Stabilizaciya-shirokoaperturnyh-poluprovodnikovyh-lazerov-s-pomoshu-vneshnei-opticheskoi-inzhekcii-75609
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
paper50.pdf490.68 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.