Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСмирнов, К.Я.
dc.contributor.authorДавыдов, В.В.
dc.contributor.authorБатов, Ю.В.
dc.date2019
dc.date.accessioned2025-08-22T12:18:20Z-
dc.date.available2025-08-22T12:18:20Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.identifierDspace\SGAU\20190418\75253
dc.identifier.citationСмирнов К.Я. InP/InGaAs фотокатод для гибридных фотоприемников ближнего ИК диапазона / К.Я. Смирнов, В.В. Давыдов, Ю.В. Батов // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН ; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника. - 2019. - С. 95-99.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/11095-
dc.description.abstractВ статье описана технология создания фотокатода с тянущим полем на основе гетероструктур InP/InGaAs с квантовой эффективностью на уровне 5% в спектральном диапазоне 0,9-1,7 мкм. Рассмотрен эффект снижения квантовой эффективности фотокатодной структуры при повышении облученности образца. Предложены различные варианты реализации гибридных вакуумных приборов на основе InP/InGaAs фотокатода для специальных задач. The technology of creation the photocathode with quantum efficiency at the level of 5% based on the InP/InGaAs heterostructures is given. The effect of decreasing the quantum efficiency of the photosensitive structure on radiant sensitivity is considered. Several variants of realization of vacuum photoelectronic device with InP/InGaAs photocathode for special purposes are represented.
dc.languagerus
dc.publisherИзд-во «Новая техника»
dc.titleInP/InGaAs фотокатод для гибридных фотоприемников ближнего ИК диапазона
dc.title.alternativeInP/InGaAs photocathode for hybrid SWIR photodetectors
dc.typeArticle
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/InPInGaAs-fotokatod-dlya-gibridnyh-fotopriemnikov-blizhnego-IK-diapazona-75253
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/InPInGaAs-fotokatod-dlya-gibridnyh-fotopriemnikov-blizhnego-IK-diapazona-75253
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
paper17.pdf460.76 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.