Термическое усиление резиста для формирования массивов микролинз и фотонных кристаллов

Abstract

Термическое усиление резиста – это один из возможных подходов, позволяющих повысить производительность электронно-лучевой литографии. Подход термического усиления резиста основан на процессе деполимеризации, протекающем во время экспонирования позитивных резистов при температурах выше температуры стеклования. Механизм термического усиления имеет много общего с механизмом химического усиления резиста, но термическое усиление резиста можно контролировать, меняя температуру образца. Термическое усиление может существенно упростить формирование ряда оптоэлектронных и фотонных структур. В данной работе рассматривается возможность формирования массивов микролинз и фотонных кристаллов с помощью термического усиления резиста. Также в работе обсуждается влияние термического усиления на латеральное разрешение литографии. Thermal amplification of resist could be one of possible approaches to improve throughput of e-beam lithography. Thermal amplification is based on the chain depolymerization, which takes place in the resist during e-beam exposure at the glass-transition or higher temperatures. It has lots in common with chemical amplification but can be controled by changing the temperature. Using thermal amplification of resist it is possible to fabricate optoelectronic and photonic structures effectively. In this work the microlens arrays and photonic crystals fabricated using thermal amplification are presented. Also influence of thermal amplification on lateral resolution is discussed.