Отрывок: Обнаружено, что, несмотря на малое значение величины mmL 0,001 << 1, на выбранной длине волны ( = 10,6 мкм) возможна генерация пар встречных TE-мод с одинаковыми индексами (m = n = 0) для со- ответствующей фазовой отстройки L при усло- вии, что уровень оптической накачки обеспечивает усиление порядка 150 см-1. Это сопоставимо с по- роговым уровнем усиления ( ≈ 100 см-1) в гофри- рованном во...
Название : | Моделирование режимов генерации оптического излучения в полупроводниковом волноводе с распределённой обратной связью, создаваемой волной пространственного заряда |
Другие названия : | Modeling the generation of optical modes in a semiconductor waveguide with distributed feedback formed by a space charge wave |
Авторы/Редакторы : | Дадоенкова, Ю.С. Золотовский, И.О. Паняев, И.С. Санников, Д.Г. |
Ключевые слова : | волна пространственного заряда генерация света полупроводник |
Дата публикации : | Апр-2020 |
Издательство : | Самарский национальный исследовательский университет |
Библиографическое описание : | Дадоенкова, Ю.С. Моделирование режимов генерации оптического излучения в полупроводниковом волноводе с распределённой обратной связью, создаваемой волной пространственного заряда / Ю.С. Дадоенкова, И.О. Золотовский, И.С. Паняев, Д.Г. Санников // Компьютерная оптика. – 2020. – Т. 44, № 2. – С. 183-188. – DOI: 10.18287/2412-6179-CO-623. |
Серия/номер : | 44;2 |
Аннотация : | Рассмотрены усиление и генерация оптических TE-волн, возникающих на решётке, образуемой волной пространственного заряда в плоском волноводе на основе легированного донорами полупроводника (арсенида галлия). Область взаимодействия ограничена контактами с приложенным между ними постоянным электрическим полем, что в режиме подавления ганновской генерации обеспечивает появление малосигнальной периодической неоднородности. Исследованы режимы отражения и прохождения TE-мод с одинаковыми индексами через волноводную структуру в зависимости от фазовой расстройки и уровня накачки. Показано, что даже при сравнительно небольшой глубине модуляции диэлектрической проницаемости (около 10–5 ) в условиях высокой оптической накачки (при коэффициенте усиления порядка 150 см–1 ) и соответствующей отстройки от фазового синхронизма существует возможность не только усиления прямой и встречной (отражённой) оптических мод, но и их генерации. Преимуществом предлагаемой схемы по сравнению с гофрированным волноводным лазером является возможность гибкого управления параметрами динамической решётки. Полученные результаты могут быть использованы для создания полупроводниковых лазерных генераторов разностного синхронизированного оптического излучения. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | https://dx.doi.org/10.18287/2412-6179-CO-623 http://repo.ssau.ru/handle/Zhurnal-Komputernaya-optika/Modelirovanie-rezhimov-generacii-opticheskogo-izlucheniya-v-poluprovodnikovom-volnovode-s-raspredelennoi-obratnoi-svyazu-sozdavaemoi-volnoi-prostranstvennogo-zaryada-83059 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20200428\83059 |
ГРНТИ: | 29.33.15 |
Располагается в коллекциях: | Журнал "Компьютерная оптика" |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
440205.pdf | Основная статья | 1.31 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.