Отрывок: слоя = S × d , (4) P = Δm ρ×S×d , (5) где P - это пористость, Δm - изменение массы образца, S - площадь пористого слоя, d - толщина пористого слоя, Vпор - объём пор, Vпор.слоя - объём пористого слоя, p - плотность кремния (p=2,33 г/см3). 2.2.2 Исследование вольт ёмкостных характеристик Для измерения вольт-фарадн...
Название : Структуры с пористым кремнием, допированным эрбием, для оптоэлектроники
Авторы/Редакторы : Нестеров Д. А.
Латухина Н. В.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2023
Библиографическое описание : Нестеров, Д. А. Структуры с пористым кремнием, допированным эрбием, для оптоэлектроники : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Д. А. Нестеров ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики т. - Самаpа, 2023. - 1 файл (2,20 Мб). - Текст : электронный
Аннотация : Цель работы - изучение свойств пористого кремния, допированного эрбием, для создания материалов, позволяющих существенно расширить диапазон эффективно используемого спектра, а впоследствии создание более эффективного фотоэлектрического преобразователя солнечных панелей. Результаты исследований подтверждают возможность использования пористого кремния, допированного ионами эрбия, в качестве материала для оптоэлектроники. Интересными для исследования характеристиками таких образцов являются их способность к ап-конверсии и люминесценции. Кроме того, спектры микрофотолюминесценции показали зависимость интенсивности фотолюминесценции от пористости кремния, что может быть использовано для разработки более эффективных фотоэлектрических преобразователей на основе пористого кремния.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Struktury-s-poristym-kremniem-dopirovannym-erbiem-dlya-optoelektroniki-105627
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20230731110132
Ключевые слова: пористый кремний
растровая электронная микроскопия
редкоземельные элементы
спектральный анализ
фотоэлектрические преобразователи
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Нестеров_Дмитрий_Андреевич_Структуры_пористым_кремнием,.pdf2.25 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.