Отрывок: слоя = S × d , (4) P = Δm ρ×S×d , (5) где P - это пористость, Δm - изменение массы образца, S - площадь пористого слоя, d - толщина пористого слоя, Vпор - объём пор, Vпор.слоя - объём пористого слоя, p - плотность кремния (p=2,33 г/см3). 2.2.2 Исследование вольт ёмкостных характеристик Для измерения вольт-фарадн...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorНестеров Д. А.ru
dc.contributor.authorЛатухина Н. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialрастровая электронная микроскопияru
dc.coverage.spatialредкоземельные элементыru
dc.coverage.spatialспектральный анализru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические преобразователиru
dc.creatorНестеров Д. А.ru
dc.date.accessioned2023-10-02 13:18:56-
dc.date.available2023-10-02 13:18:56-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20230731110132ru
dc.identifier.citationНестеров, Д. А. Структуры с пористым кремнием, допированным эрбием, для оптоэлектроники : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Д. А. Нестеров ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики т. - Самаpа, 2023. - 1 файл (2,20 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Struktury-s-poristym-kremniem-dopirovannym-erbiem-dlya-optoelektroniki-105627-
dc.description.abstractЦель работы - изучение свойств пористого кремния, допированного эрбием, для создания материалов, позволяющих существенно расширить диапазон эффективно используемого спектра, а впоследствии создание более эффективного фотоэлектрического преобразователя солнечных панелей. Результаты исследований подтверждают возможность использования пористого кремния, допированного ионами эрбия, в качестве материала для оптоэлектроники. Интересными для исследования характеристиками таких образцов являются их способность к ап-конверсии и люминесценции. Кроме того, спектры микрофотолюминесценции показали зависимость интенсивности фотолюминесценции от пористости кремния, что может быть использовано для разработки более эффективных фотоэлектрических преобразователей на основе пористого кремния.ru
dc.titleСтруктуры с пористым кремнием, допированным эрбием, для оптоэлектроникиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.29ru
dc.subject.udc539.1ru
dc.textpartслоя = S × d , (4) P = Δm ρ×S×d , (5) где P - это пористость, Δm - изменение массы образца, S - площадь пористого слоя, d - толщина пористого слоя, Vпор - объём пор, Vпор.слоя - объём пористого слоя, p - плотность кремния (p=2,33 г/см3). 2.2.2 Исследование вольт ёмкостных характеристик Для измерения вольт-фарадн...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Нестеров_Дмитрий_Андреевич_Структуры_пористым_кремнием,.pdf2.25 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.