Отрывок: Предположение об одинаковом контактном сопротивлении для всех трех контактов несколько сомнительно, но оправдано для не слишком большой выборки. Контактное сопротивление получается как разность двух больших чисел. Это может представлять трудности и особенно проблематично для контактов с низким сопротивлением. Определение длин d1 и d2 является еще одним источником неточности. Иногда этим методом получают отрицательное контактное сопротивле...
Название : Омические контакты к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии
Авторы/Редакторы : Исаев Н. Е.
Щербак А. В.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2023
Библиографическое описание : Исаев, Н. Е. Омические контакты к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Н. Е. Исаев ; рук. работы А. В. Щербак; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики твердо. - Самаpа, 2023. - 1 файл (2,42 Мб). - Текст : электронный
Аннотация : Цель данной работы: определение переходного сопротивления омических контактов, получаемых методом термического вакуумного испарения к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии. В первой главе рассмотрены способы получения пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. Вторая глава посвящена описанию методов измерения сопротивления омических контактов. В третьей главе представлены результаты исследования омических контактов (элементный анализа области контакта, ВАХ, контактное сопротвиление). Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Omicheskie-kontakty-k-strukturam-karbida-kremniya-na-kremnii-poluchaemym-metodom-endotaksii-104918
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20230731113426
Ключевые слова: карбид кремния
метод термического вакуумного испарения
метод эндотаксии
омические контакты
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Исаев_Никита_Евгеньевич_Омические_контакты_структурам.pdf2.48 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.